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2019-08-25
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英睿达MX500固态硬盘采用Silicon Motion SM2258主控芯片,顺序读取标称可达560MB/s,写入速度标称可达510MB/s。3D NAND闪存技术克服了传统平面NAND架构的密度性能和耐久性局限,让芯片层彼此垂直堆叠而不是缩减芯片的尺寸,并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间,使得其拥有密度高、性能好,占用空间小的特点,让硬盘的耗能更低使用寿命更长。通过“自适应热保护”技术动态调整存储组件的活动,保持系统冷却,并大幅降低过热导致的损坏风险。
英睿达MX500固态硬盘采用Silicon Motion SM2258主控芯片,顺序读取标称可达560MB/s,写入速度标称可达510MB/s。3D NAND闪存技术克服了传统平面NAND架构的密度性能和耐久性局限,让芯片层彼此垂直堆叠而不是缩减芯片的尺寸,并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间,使得其拥有密度高、性能好,占用空间小的特点,让硬盘的耗能更低使用寿命更长。通过“自适应热保护”技术动态调整存储组件的活动,保持系统冷却,并大幅降低过热导致的损坏风险。
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